Disfruta de una selección de investigaciones destacadas en tecnología de diseño de patrones para semiconductores, con técnicas, materiales y procesos innovadores que ofrecen valiosos conocimientos para científicos que buscan llevar los límites de lo posible aún más lejos.
La continua demanda por dispositivos semiconductores más pequeños y eficientes depende de avances clave en el diseño de patrones de alta precisión. A medida que las arquitecturas de los chips se vuelven más complejas, la capacidad de crear estructuras nanoscale intrincadas con máxima precisión se ha convertido en una necesidad crítica para la industria.
Nos complace presentarte una selección de investigaciones sobresalientes en tecnología de diseño de patrones, que incluyen técnicas, materiales y procesos innovadores, pensados para ofrecer conocimientos valiosos a los científicos en semiconductores que buscan superar los límites de la tecnología actual.
Artículos destacados de ACS Publications: Diseño de Patrones para Semiconductores
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Rational Design and Fabrication of Block Copolymer Templated Hafnium Oxide Nanostructures
“… En este estudio, ampliamos la biblioteca de SIS (síntesis por infiltración secuencial) con el desarrollo de SIS de óxido de hafnio y demostramos la fabricación de nanoestructuras de HfOx mediante SIS dentro de plantillas de copolímeros en bloque…” Leer más.
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“Dual-Tone” Area-Selective Deposition: Selectivity Inversion of Polymer on Patterned Si/SiO2 Starting Surfaces
“… En este trabajo, definimos el concepto de 'ASD de doble tono' (Deposición Selectiva por Áreas), donde una superficie patrón se ajusta para permitir la ASD en una de dos superficies adyacentes evitando el crecimiento en la otra. En el caso de estudio de este trabajo..." Leer más.
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Area Selective Deposition of Ru on W/SiO2 Nanopatterns via Sequential Reactant Dosing and Thermal Defect Correction
“…Este estudio emplea una dosificación secuencial avanzada de reactivos combinada con una estrategia de corrección térmica de defectos para obtener alta selectividad y calidad de película. Gracias al uso de la dosificación secuencial, la quimisorción se convierte en el mecanismo dominante y previene eficazmente…” Leer más.
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Area-Selective Atomic Layer Deposition of Ruthenium via Reduction of Interfacial Oxidation
“… En este estudio, se demuestra la ASD de Ru usando un proceso ALD en dos pasos con el uso secuencial de H₂ y O₂ como co-reactivos y dimetilamino-trimetilsilano (DMATMS) como inhibidor precursor. Tanto los resultados teóricos como los experimentales demuestran que…” Leer más.
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Area-Selective Etching of Poly(lactic acid) Films via Catalytic Hydrogenolysis and Cracking
“…Aquí estudiamos el ASE (grabado selectivo por áreas) del ácido poliláctico (PLA) en dos atmósferas no oxidativas: una atmósfera inerte, donde ocurre descomposición por craqueo, y una atmósfera de H₂, donde el polímero se descompone por hidrogenólisis. Se identificaron películas de Ni, NiO, Ir y Pt como..." Leer más.
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In Situ Monitoring Surface Reactions in Cryogenic Atomic Layer Etching of Silicon Nitride by Alternating Surface Modification with Hydrogen Fluoride Dose and Ar Plasmas
“El grabado por capas atómicas (ALE) criogénico representa una técnica prometedora para lograr una remoción de material a subnanoescala en procesos de semiconductores, gracias a sus reacciones únicas de adsorción autolimitadas en superficie. Este artículo presenta un método ALE criogénico para SiN, utilizando..." Leer más.
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Control of Presentation of Functional Ultraviolet Absorbers to the Surface of Photoresist Polymers Using Low Surface Energy Polymers
“…Los polímeros con grupos terminales que contienen flúor se acumulan selectivamente en la interfaz polímero-aire cuando el segundo polímero no está fluorado, pero ¿qué pasa cuando ambos polímeros en una película bicapa están fluorados? Para comprobar esto, preparamos polímeros mediante adición reversible…” Leer más.
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Special Issue: Precision Patterning
¿Quieres más artículos de investigación sobre diseño de patrones de precisión? Este número especial de Chemistry of Materials presenta una selección de investigaciones innovadoras publicadas en el último año en esta área. Esperamos que el trabajo presentado inspire nuevos avances en este campo dinámico.
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